摘要：本发明提供了一种超厚Ti₂AlC涂层的制备方法。本发明采用多弧离子镀技术(AIP)和磁控溅射技术复合，利用高速Φ155大弧源沉积技术，可以短时间内获得大厚度的致密涂层，并且先制备过渡层，使涂层与基体结合力优异；本发明采用TiAl靶作为阴极弧源，石墨C作为磁控靶材，避免气态碳源产生的非晶相和引入氢离子，并且避免了Ti₂AlC复合靶造价高昂的短板，采用分靶复合沉积，一步获得大厚度Ti₂AlC涂层，也减少了两步法对工件二次处理的繁琐步骤。实验结果表明，本发明提供的制备方法可以一步获得厚度在10 μm以上超厚Ti₂AlC均匀层状相结构涂层，涂层致密平整，结合力>60N。